【活動】HKEPC x ASUS ROG Insight 2015

企企實在太耐無接觸 hardware 了，雖然依然有留意新消息但是卻沒有再追。今年 Intel 終於推出新一代 CPU Skylake，無論制程抑或是架構都有大幅改進。
見到 HKEPC + 華碩舉辦了一個新平台講超頻的活動，雖然企企有超頻但未算係一個玩家，但都想知最新 U 的超頻有甚麽地方要留意，所以就報名參加了。

架構改進

首先要提出，今次 Intel 新 U Skylake 雖然新 U 使用了更先進的制程，但其最高功耗比上一代 Haswell / Broadwell 更高，由 85W 升至 91W。不過在實際情況使用下，反而慳電了 35%，因為正常使用 CPU 不會長期 100% 負載，即使打機時亦不會，而新 U 在低負載時更省電。
這種情況是因為更先進制程的反效果，因為越先進，晶片面積會越小，同等熱量下散熱反而更困難，所以出現了低負載更省電，高負載更食電的情況。

今次新平台會支援 DDR3-1600L 和 DDR4-2133，強烈建議使用 DDR4，因為今次 Skylake 並沒有為 DDR3 作出優化，其 DDR3 表現比 Haswell / Broadwell 更差，所以如果想用回 DDR3 建議用回舊平台了。

其實今次 Skylake 的改良很多都來自 PCI-E，因為整個平台都使用 PCI-E 3.0，不像 Haswell 只有 display 才使用 3.0。而 PCI-E 3.0 比 2.0 優勝的地方除了速度快了外，其 128b/130b 設計令到實際可用頻寛大幅提升（PCI-E 2.0 為 8b/10b）
即是說，PCI-E 2.0 每傳送 8bit 資料，就要另加 2bit 除錯，令到實除可用頻寬只有 8 成；而 PCI-E 3.0 設計，每傳送 128bit 資料才需要用 2bit 除錯，令其可用頻寬可達 99.98% .
今次 Skylake 共有 26 條 PCI-E 3.0 channel，不過部份已硬性提供給 USB / SATA，所以能用的並非想像般多。
不過因為用了 PCI-E 3.0，所以其 DMA，亦即是 CPU 和 North Bridge 之間的頻寬大幅提升，去到 32GB/s
之前 M.2 SSD 未普及的原因之一，就是因為 DMA 速度限制了，所以很少廠商投資去 M.2，令到價錢高企，未來一兩年的 SSD 容量和速度都會有突破，高速又平價的 TB 級 SSD 不再是夢了。
現在同一 M.2 SSD 可以在 Skylake 有更高速度，而且可以行 Raid 了，相信遲些 SATA SSD 必會淘汰（個人估計一年後）。

不過失望的是 Skylake 只有 USB 3.0，並沒有 USB 3.1，要各廠商自行加上晶片了。（小心有廠商用語言偽術說自己支援 USB 3.1 Gen 1，那其實等於 USB 3.0）
另外要留意，Skylake 也只援 USB 2.0 但是並不支援 EHCI，意味著在 Win7 或以下的系統不能用 mouse 和 keyboard，需要 Windows 8, 8.1, 10 等才支援。

CPU 架構上，除了平時看到的倍頻和外頻（CPU 的頻率就是外頻 x 倍頻），分開為 CPU 外頻和底板外頻。
以前超外底就會連 sound card, usb , SATA 等等一起超，所以很難超得高。
現在可以將底板外頻 lock 在 100Hz，之後超 CPU 外頻，所以現在「可超度」高了很多。
還有一點就是 Intel 終於將電壓轉換由 CPU 內部交回給底板，之前 Haswell 將電壓轉換內建在 CPU，令到 CPU 的廢熱大增，80 － 90 是等閒事。現在會正常得多，大約 30-50 之間而已。

但亦即是底板商的功力分野會很明顯，因為要每個元件都同步，要 clock rate 越快，同步就越難，一旦不同步就會出藍畫面 IRQ error.

暫時主持兼超頻達人方丈可以將 CPU 外頻穩定地超到 400Hz，但其他牌子如 G 牌 M 牌等，最高都只超到 320Hz（但不知是那個型號），所以底板的用料和設計影響非常大。

測試用參數

要超頻，當然要逐樣逐樣去試，將其他部份較到最慢速，要超頻調較到最高安全電壓，再測試上限，當測試到可以穩定地煲機後，再慢慢降低電壓，所以超頻時一定要了解安全電壓。

超 CPU 外頻時建議設定值：
CPU VCCIO Voltage : 1.3V （CPU I/O, PCI-E 等控制器電壓）
CPU System Agent Voltage : 1.2（CPU 控制 Ram 部份的電壓）
PLL Termination Voltage : 1.5（控制外頻 clock 電壓）
PCH Core Voltage : 1.2V（North Bridge 的電壓）
DDR4 Ram 最慢設定（當超其他部份時，將 Ram 速度減慢以排除 ram 的影響）
DRAM CAS# Latency : 19
DRAM RAS# to CAS# Delay : 25
DRAM RAS# ACT Time : 48
DRAM Command Rate : 2
DRAM Write Latency : 18

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